
少子壽命測試
少子壽命的測量通常包括非平衡載流子的注入和檢測兩個(gè)方面,*常用的注入方法是光注入和電注入。對(duì)于間接帶隙的半導(dǎo)體,常使用電注入或者微波光電導(dǎo)衰減的方法進(jìn)行少子壽命測試,間接帶隙半導(dǎo)體一般壽命較長, 為毫秒量級(jí)。而對(duì)于GaAs 這類的直接間隙半導(dǎo)體,復(fù)合的能量幾乎全部以發(fā)光的形式放出,發(fā)光效率高,壽命較短(典型的壽命在10-8-10-9s),通常使用時(shí)間分辨光致發(fā)光光譜(TRPL)的方法來進(jìn)行測試。

激光掃描少子壽命成像測量儀SPM900
當(dāng)外界作用停止以后,少子的濃度(ΔC)隨時(shí)間t 增長呈指數(shù)衰減的規(guī)律。由以下方程可知,少子的壽命為當(dāng)少子濃度衰減到初始濃度1/e 時(shí)候所經(jīng)歷的時(shí)間。在輻射復(fù)合中,發(fā)光的強(qiáng)度與少子的濃度相關(guān),因此可以通過檢測發(fā)光的壽命來獲得少子的壽命信息。

當(dāng)在顯微鏡上加載少子壽命測試模塊,就可以得到微區(qū)下半導(dǎo)體器件的少子壽命分布信息,這對(duì)于微小型器件的研究及質(zhì)量控制十分重要。激光掃描少子壽命成像儀基于時(shí)間相關(guān)單光子計(jì)數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì),包含顯微鏡主體,激光光源,光子計(jì)數(shù)檢測器,單色儀以及自動(dòng)XY 樣品臺(tái)等部分。位于顯微鏡上的激光光源用于樣品的激發(fā),通過控制樣品臺(tái)的移動(dòng),可以進(jìn)行微區(qū)單點(diǎn)少子壽命測量和少子壽命成像。

少子壽命成像測試應(yīng)用
測試軟件
控制測試界面
測試軟件的界面遵循“All In One"的簡潔設(shè)計(jì)思路,用戶可在下圖所示的控制界面中完成采集數(shù)據(jù)的所有步驟:包括控制樣品平移臺(tái)移動(dòng),通過顯微鏡的明場光學(xué)像定位到合適區(qū)域,框選掃描區(qū)域進(jìn)行掃描,逐點(diǎn)獲得熒光衰減曲線,實(shí)時(shí)生成熒光圖像等。
數(shù)據(jù)處理界面
功能豐富的熒光壽命數(shù)據(jù)處理軟件,充分挖掘用戶數(shù)據(jù)中的寶貴信息??勺詣?dòng)對(duì)掃描獲得的FLIM 數(shù)據(jù),逐點(diǎn)進(jìn)行多組分熒光壽命擬合(組分?jǐn)?shù)小于等于4),對(duì)逐點(diǎn)擬合獲得的熒光強(qiáng)度、熒光壽命等信息生成偽彩色圖像顯示。

3D 顯示功能

少子壽命測試案例
MicroLEDMicroLED 顯示技術(shù)是指以自發(fā)光的微米量級(jí)的LED 為發(fā)光像素單元,將其組裝到驅(qū)動(dòng)面板上形成高密度LED 陣列的顯示技術(shù), 在發(fā)光亮度、分辨率、對(duì)比度、穩(wěn)定性、能量損耗等方面有很大優(yōu)勢,可以應(yīng)用在AR/VR,可穿戴光電器件,柔性顯示屏等領(lǐng)域。由于MicroLED 的尺寸在微米級(jí)別,因此需要在顯微鏡下進(jìn)行檢測。下圖為使用少子壽命成像系統(tǒng)對(duì)直徑為80 微米的MicroLED 微盤進(jìn)行測試。
單組分?jǐn)M合,可以看到紅圈中的污損位置,雖然影響發(fā)光強(qiáng)度,但對(duì)發(fā)光壽命沒有影響

鈣鈦礦測試
鈣鈦礦屬于直接帶隙半導(dǎo)體材料,具有高光學(xué)吸收,高增益系數(shù)、高缺陷容忍度、帶隙可調(diào),制備成本低等優(yōu)點(diǎn),可以廣泛應(yīng)用在光子學(xué)與光電信息功能器件等領(lǐng)域,例如鈣鈦礦太陽能電池,鈣鈦礦量子點(diǎn),鈣鈦礦LED 等材料的研究。對(duì)于鈣鈦礦中的載流子輻射復(fù)合的研究對(duì)于提供器件的光電轉(zhuǎn)換性能有很大的幫助。
以下示例為鈣鈦礦樣品的少子輻射復(fù)合發(fā)光成像和壽命成像。圖中可見此鈣鈦礦樣品有兩個(gè)壽命組分,且不同壽命組分的相對(duì)含量也可以從相對(duì)振幅成像圖中很直觀的看到。

晶圓級(jí)大尺寸的少子壽命成像測試儀

4、6、8 英寸晶圓樣品測試,可在此基礎(chǔ)上增加小行程電動(dòng)位移臺(tái)實(shí)現(xiàn)數(shù)百納米至微米尺度的精細(xì)掃描
顯微尺度的少子壽命成像測試儀
參數(shù)指標(biāo)